Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFH15N100

IXFH15N100

Nur als Referenz

Teilenummer IXFH15N100
PNEDA Teilenummer IXFH15N100
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.976
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 11 - Jun 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFH15N100 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFH15N100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFH15N100, IXFH15N100 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 622,25 KB)
PDFIXFX14N100 Datenblatt Cover
IXFX14N100 Datenblatt Seite 2 IXFX14N100 Datenblatt Seite 3 IXFX14N100 Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFH15N100 Datasheet
  • where to find IXFH15N100
  • IXYS

  • IXYS IXFH15N100
  • IXFH15N100 PDF Datasheet
  • IXFH15N100 Stock

  • IXFH15N100 Pinout
  • Datasheet IXFH15N100
  • IXFH15N100 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFH15N100 Price
  • IXFH15N100 Distributor

IXFH15N100 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)360W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXFH)
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDBL86566-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6655pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HPSOF

Paket / Fall

8-PowerSFN

SI7461DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

DKI04103

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 18.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF7834TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3710pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXFP4N100Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

HA7-2645-5

HA7-2645-5

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8CERDIP

CY2304SXI-1

CY2304SXI-1

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 4OUT 133MHZ 8SOIC

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

LTM4622EV#PBF

LTM4622EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CNVRTR 0.6-5.5V 0.6-5.5V

E-TEA3717DP

E-TEA3717DP

STMicroelectronics

IC MOTOR DRVR BIPOLAR 16POWERDIP

IRFR7440PBF

IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK

VLMW1500-GS08

VLMW1500-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED COOL WHITE 0402 SMD

SUCS62405C

SUCS62405C

Cosel

DC DC CONVERTER 5V

LPC2388FBD144,551

LPC2388FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

PCA9543APW,118

PCA9543APW,118

NXP

IC I2C SWITCH 2CH 14-TSSOP

AD7689BCBZ-RL7

AD7689BCBZ-RL7

Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 20WLCSP

74ACT32SC

74ACT32SC

ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC