Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFN420N10T

IXFN420N10T

Nur als Referenz

Teilenummer IXFN420N10T
PNEDA Teilenummer IXFN420N10T
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.216
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFN420N10T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFN420N10T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFN420N10T, IXFN420N10T Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 170,38 KB)
PDFIXFN420N10T Datenblatt Cover
IXFN420N10T Datenblatt Seite 2 IXFN420N10T Datenblatt Seite 3 IXFN420N10T Datenblatt Seite 4 IXFN420N10T Datenblatt Seite 5 IXFN420N10T Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFN420N10T Datasheet
  • where to find IXFN420N10T
  • IXYS

  • IXYS IXFN420N10T
  • IXFN420N10T PDF Datasheet
  • IXFN420N10T Stock

  • IXFN420N10T Pinout
  • Datasheet IXFN420N10T
  • IXFN420N10T Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFN420N10T Price
  • IXFN420N10T Distributor

IXFN420N10T Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGigaMOS™ HiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.420A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs670nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds47000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1070W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227B
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTTFS4C56NTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

IPD50R520CPATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IPB80N06S3L-06

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

196nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9417pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOTF450L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IRF3711

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

0217002.MXP

0217002.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM

LT1308BIS8#TRPBF

LT1308BIS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BST SEPIC ADJ 2A 8SOIC

ASDXRRX005KGAA5

ASDXRRX005KGAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF

FP25R12KE3BOSA1

FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

WSL25125L000FTA

WSL25125L000FTA

Vishay Dale

WSL-2512 .005 1% R86

TDA04H0SB1

TDA04H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

V5.5MLA0603NH

V5.5MLA0603NH

Littelfuse

VARISTOR 8.2V 30A 0603

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

766161102GPTR13

766161102GPTR13

CTS Resistor Products

RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SOIC

ADM3251EARWZ

ADM3251EARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH RS232 20SOIC

1SS355TE-17

1SS355TE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2