IXFN48N50U3
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| Teilenummer | IXFN48N50U3 |
| PNEDA Teilenummer | IXFN48N50U3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.894 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFN48N50U3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFN48N50U3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFN48N50U3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 48A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall TO-243AA |
