IXFN80N60P3
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| Teilenummer | IXFN80N60P3 |
| PNEDA Teilenummer | IXFN80N60P3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFN80N60P3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFN80N60P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFN80N60P3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, Polar3™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 66A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13100pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 960W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Ta), 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2162pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 7.4W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerSMD, Flat Leads |
Hersteller IXYS Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 340A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 935W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
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