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IXFR16N120P

IXFR16N120P

Nur als Referenz

Teilenummer IXFR16N120P
PNEDA Teilenummer IXFR16N120P
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.480
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IXFR16N120P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFR16N120P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFR16N120P, IXFR16N120P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 146,72 KB)
PDFIXFR16N120P Datenblatt Cover
IXFR16N120P Datenblatt Seite 2 IXFR16N120P Datenblatt Seite 3 IXFR16N120P Datenblatt Seite 4 IXFR16N120P Datenblatt Seite 5

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IXFR16N120P Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™, PolarP2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.04Ohm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)230W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketISOPLUS247™
Paket / FallISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

2SK353900L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±7V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

129mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

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Verlustleistung (max.)

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