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IXFT96N20P

IXFT96N20P

Nur als Referenz

Teilenummer IXFT96N20P
PNEDA Teilenummer IXFT96N20P
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXFT96N20P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFT96N20P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFT96N20P, IXFT96N20P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 225,61 KB)
PDFIXFV96N20P Datenblatt Cover
IXFV96N20P Datenblatt Seite 2 IXFV96N20P Datenblatt Seite 3 IXFV96N20P Datenblatt Seite 4 IXFV96N20P Datenblatt Seite 5

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IXFT96N20P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarHT™ HiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.96A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4800pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-268
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5836pF @ 25V

FET-Funktion

Temperature Sensing Diode

Verlustleistung (max.)

272W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

Paket / Fall

TO-220-5

STB45NF06T4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

980pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

430W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

SI7615ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

183nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5590pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

SSM6K514NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-UDFNB (2x2)

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Kürzlich verkauft

M93C46-WBN6

M93C46-WBN6

STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

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IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

MIC49150WR

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Microchip Technology

IC REG LIN POS ADJ 1.5A SPAK-5

SFH6106-2T

SFH6106-2T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

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Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

PIC18F46K20-I/PT

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

LTC4364HS-2#PBF

LTC4364HS-2#PBF

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IC SURGE STOPPER W/DIODE SMD

2N7002LT1G

2N7002LT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

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SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

ADR421ARZ

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Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

ISL6269CRZ

ISL6269CRZ

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IC REG CTRLR BUCK 16QFN