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IXGH40N60B

IXGH40N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH40N60B
PNEDA Teilenummer IXGH40N60B
Beschreibung IGBT 600V 75A 250W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.380
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IXGH40N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH40N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH40N60B, IXGH40N60B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 291,07 KB)
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IXGH40N60B Datenblatt Seite 2

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IXGH40N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Leistung - max250W
Schaltenergie2.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge116nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/180ns
Testbedingung480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

22W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/33ns

Testbedingung

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

285W

Schaltenergie

365µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

195nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/240ns

Testbedingung

390V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

450µJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/160ns

Testbedingung

960V, 5A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

440µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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