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IXGH40N60B2D1

IXGH40N60B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH40N60B2D1
PNEDA Teilenummer IXGH40N60B2D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH40N60B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH40N60B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH40N60B2D1, IXGH40N60B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 511,24 KB)
PDFIXGT40N60B2D1 Datenblatt Cover
IXGT40N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGT40N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGT40N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGT40N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGT40N60B2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGH40N60B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie400µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/130ns
Testbedingung400V, 30A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

Leistung - max

652W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/296ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

255ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

430µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/215ns

Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

42A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

240µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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400V, 24A, 10Ohm, 15V

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89ns

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