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IXGH45N120

IXGH45N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH45N120
PNEDA Teilenummer IXGH45N120
Beschreibung IGBT 1200V 75A 300W TO247
Hersteller IXYS
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IXGH45N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH45N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH45N120, IXGH45N120 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 64,42 KB)
PDFIXGH45N120 Datenblatt Cover
IXGH45N120 Datenblatt Seite 2

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IXGH45N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 45A
Leistung - max300W
Schaltenergie14mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.55ns/370ns
Testbedingung960V, 45A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

385W

Schaltenergie

990µJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

181nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/113ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

APT15GT60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

184W

Schaltenergie

150µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/105ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

SGH30N60RUFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

235W

Schaltenergie

919µJ (on), 814µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/54ns

Testbedingung

300V, 30A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

85W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 10A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

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-

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Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

Leistung - max

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Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

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