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IXGH48N60C3C1

IXGH48N60C3C1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH48N60C3C1
PNEDA Teilenummer IXGH48N60C3C1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $158,0728
50 ---------- $150,6632
100 ---------- $143,2535
200 ---------- $135,8438
400 ---------- $129,6691
500 ---------- $123,4944
Auf Lager 6.135
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IXGH48N60C3C1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH48N60C3C1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH48N60C3C1, IXGH48N60C3C1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 185,67 KB)
PDFIXGH48N60C3C1 Datenblatt Cover
IXGH48N60C3C1 Datenblatt Seite 2 IXGH48N60C3C1 Datenblatt Seite 3 IXGH48N60C3C1 Datenblatt Seite 4 IXGH48N60C3C1 Datenblatt Seite 5 IXGH48N60C3C1 Datenblatt Seite 6

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IXGH48N60C3C1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie330µJ (on), 230µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge77nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/60ns
Testbedingung400V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

375V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

28.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/15µs

Testbedingung

300V, 10A, 25Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRG4IBC30KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

600µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

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Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/150ns

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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