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IXGH56N60B3D1

IXGH56N60B3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH56N60B3D1
PNEDA Teilenummer IXGH56N60B3D1
Beschreibung IGBT 600V 330W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH56N60B3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH56N60B3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH56N60B3D1, IXGH56N60B3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 230,02 KB)
PDFIXGH56N60B3D1 Datenblatt Cover
IXGH56N60B3D1 Datenblatt Seite 2 IXGH56N60B3D1 Datenblatt Seite 3 IXGH56N60B3D1 Datenblatt Seite 4 IXGH56N60B3D1 Datenblatt Seite 5 IXGH56N60B3D1 Datenblatt Seite 6 IXGH56N60B3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGH56N60B3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)350A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 44A
Leistung - max330W
Schaltenergie1.3mJ (on), 1.05mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge138nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/155ns
Testbedingung480V, 44A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

ON Semiconductor

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

208nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 16A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.97mJ (on), 790µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/336ns

Testbedingung

850V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

107nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/90ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

NGTG50N60FWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

117ns/285ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 11A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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