Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGR50N90B2D1

IXGR50N90B2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR50N90B2D1
PNEDA Teilenummer IXGR50N90B2D1
Beschreibung IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR50N90B2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR50N90B2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR50N90B2D1, IXGR50N90B2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 217,18 KB)
PDFIXGR50N90B2D1 Datenblatt Cover
IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR50N90B2D1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGR50N90B2D1 Datasheet
  • where to find IXGR50N90B2D1
  • IXYS

  • IXYS IXGR50N90B2D1
  • IXGR50N90B2D1 PDF Datasheet
  • IXGR50N90B2D1 Stock

  • IXGR50N90B2D1 Pinout
  • Datasheet IXGR50N90B2D1
  • IXGR50N90B2D1 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGR50N90B2D1 Price
  • IXGR50N90B2D1 Distributor

IXGR50N90B2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 50A
Leistung - max100W
Schaltenergie4.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge135nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/350ns
Testbedingung720V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STGFW30V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

58W

Schaltenergie

383µJ (on), 233µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

163nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/189ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

277W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/143ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

54ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

STGP20H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

209µJ (on), 261µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42.5ns/177ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

RJP65T54DPM-A0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

Leistung - max

63.5W

Schaltenergie

330µJ (on), 760µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/120ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

Kürzlich verkauft

CM1624-08DE

CM1624-08DE

ON Semiconductor

FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

HX1188FNLT

HX1188FNLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

LTM4623IY#PBF

LTM4623IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 3A

BC807-16,215

BC807-16,215

Nexperia

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

NANOSMDC035F-2

NANOSMDC035F-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 16V 350MA 1206

USB4604-1080HN

USB4604-1080HN

Microchip Technology

IC USB HUB/FLASH CTLR 48QFN

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

A42MX16-PQ160

A42MX16-PQ160

Microsemi

IC FPGA 125 I/O 160QFP