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IXGT10N170A

IXGT10N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT10N170A
PNEDA Teilenummer IXGT10N170A
Beschreibung IGBT 1700V 10A 140W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.406
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGT10N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT10N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT10N170A, IXGT10N170A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 565,64 KB)
PDFIXGT10N170A Datenblatt Cover
IXGT10N170A Datenblatt Seite 2 IXGT10N170A Datenblatt Seite 3 IXGT10N170A Datenblatt Seite 4 IXGT10N170A Datenblatt Seite 5

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IXGT10N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 5A
Leistung - max140W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/190ns
Testbedingung850V, 10A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

118A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

224A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

Hersteller

IXYS

Serie

Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

55W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.13mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

375nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/252ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

165A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/90ns

Testbedingung

450V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

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