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IXGT30N60C2

IXGT30N60C2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT30N60C2
PNEDA Teilenummer IXGT30N60C2
Beschreibung IGBT 600V 70A 190W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT30N60C2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT30N60C2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT30N60C2, IXGT30N60C2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 583,45 KB)
PDFIXGT30N60C2 Datenblatt Cover
IXGT30N60C2 Datenblatt Seite 2 IXGT30N60C2 Datenblatt Seite 3 IXGT30N60C2 Datenblatt Seite 4 IXGT30N60C2 Datenblatt Seite 5

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IXGT30N60C2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 24A
Leistung - max190W
Schaltenergie290µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/70ns
Testbedingung400V, 24A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

412µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/120ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

NGB8206NTF4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG7CH46UED

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

187nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/152ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

488ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGS4B60KD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

73µJ (on), 47µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

93ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Paket / Fall

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