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IXGT50N60B

IXGT50N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT50N60B
PNEDA Teilenummer IXGT50N60B
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.456
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT50N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT50N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT50N60B, IXGT50N60B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 182,81 KB)
PDFIXGT50N60B Datenblatt Cover
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IXGT50N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/150ns
Testbedingung480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

76A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 30A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXDH)

IRG4BC20MD-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 11A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

410µJ (on), 2.03mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/463ns

Testbedingung

480V, 11A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

RJP60F4DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

Leistung - max

41.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

STGW40H60DLFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGA6560WDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

306W

Schaltenergie

2.46mJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25.6ns/71ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

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