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IXSH25N120AU1

IXSH25N120AU1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH25N120AU1
PNEDA Teilenummer IXSH25N120AU1
Beschreibung IGBT 1200V 50A 200W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.122
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IXSH25N120AU1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH25N120AU1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH25N120AU1, IXSH25N120AU1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 36,12 KB)
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IXSH25N120AU1 Datenblatt Seite 2

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IXSH25N120AU1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Leistung - max200W
Schaltenergie9.6mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/450ns
Testbedingung960V, 25A, 18Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

Leistung - max

83W

Schaltenergie

56µJ (on), 78.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

400V, 5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

134.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

STGY80H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

MAX247™

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

400µJ (on), 480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

146nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/95ns

Testbedingung

400V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

STGF7NB60SL

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4.5V, 7A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

4.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

16nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/5.2µs

Testbedingung

480V, 7A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

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Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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