Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXSH45N100

IXSH45N100

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH45N100
PNEDA Teilenummer IXSH45N100
Beschreibung IGBT 1000V 75A 300W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.510
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 29 - Mai 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXSH45N100 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH45N100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH45N100, IXSH45N100 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 103,53 KB)
PDFIXSH45N100 Datenblatt Cover
IXSH45N100 Datenblatt Seite 2 IXSH45N100 Datenblatt Seite 3 IXSH45N100 Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXSH45N100 Datasheet
  • where to find IXSH45N100
  • IXYS

  • IXYS IXSH45N100
  • IXSH45N100 PDF Datasheet
  • IXSH45N100 Stock

  • IXSH45N100 Pinout
  • Datasheet IXSH45N100
  • IXSH45N100 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXSH45N100 Price
  • IXSH45N100 Distributor

IXSH45N100 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 45A
Leistung - max300W
Schaltenergie15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.80ns/400ns
Testbedingung800V, 45A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NGTB15N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

229W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/165ns

Testbedingung

600V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

RGT40NL65DGTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

161W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/75ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS

FGPF7N60RUFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Leistung - max

41W

Schaltenergie

230µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/60ns

Testbedingung

300V, 7A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IXBT2N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

920ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGW25H120F2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

600µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/130ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Kürzlich verkauft

766161102GPTR13

766161102GPTR13

CTS Resistor Products

RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SOIC

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PUSH BUTTON ON/OFF CTRLR 8DFN

ACPL-064L-500E

ACPL-064L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH PUSH PULL 8SO

1SS133T-72

1SS133T-72

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

AD7870JP

AD7870JP

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 28PLCC

74HC245D

74HC245D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC TRANSCVR NON-INVERT 6V 20SOIC

ZLLS400TA

ZLLS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 520MA SOD323

FDN360P

FDN360P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

LAN8740AI-EN

LAN8740AI-EN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32SQFN

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8

PIC18F1220-I/SO

PIC18F1220-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

MC7805CDTRKG

MC7805CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A DPAK