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IXST30N60B

IXST30N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXST30N60B
PNEDA Teilenummer IXST30N60B
Beschreibung IGBT 600V 55A 200W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.304
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IXST30N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXST30N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXST30N60B, IXST30N60B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 131,51 KB)
PDFIXST30N60B Datenblatt Cover
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IXST30N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/150ns
Testbedingung480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A

Leistung - max

64W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/193ns

Testbedingung

300V, 20A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PF-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

695W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7.2V @ 15V, 3A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 3A, 47Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

125µs/-

Testbedingung

480V, 3A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

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Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

147nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/230ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

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