Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTH88N30P

IXTH88N30P

Nur als Referenz

Teilenummer IXTH88N30P
PNEDA Teilenummer IXTH88N30P
Beschreibung MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.614
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 10 - Mai 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTH88N30P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTH88N30P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTH88N30P, IXTH88N30P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 324,08 KB)
PDFIXTT88N30P Datenblatt Cover
IXTT88N30P Datenblatt Seite 2 IXTT88N30P Datenblatt Seite 3 IXTT88N30P Datenblatt Seite 4 IXTT88N30P Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTH88N30P Datasheet
  • where to find IXTH88N30P
  • IXYS

  • IXYS IXTH88N30P
  • IXTH88N30P PDF Datasheet
  • IXTH88N30P Stock

  • IXTH88N30P Pinout
  • Datasheet IXTH88N30P
  • IXTH88N30P Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTH88N30P Price
  • IXTH88N30P Distributor

IXTH88N30P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarHT™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.88A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6300pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247 (IXTH)
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STP200N4F3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

ZXM61N02FTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 930mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

360A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 180A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

505nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

TK35E10K3(S1SS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

SI7342DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Kürzlich verkauft

1N4001G

1N4001G

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

ADM2481BRWZ

ADM2481BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

MIC2025-1YM

MIC2025-1YM

Microchip Technology

IC SW DISTRIBUTION 1CHAN 8SOIC

IS82C54

IS82C54

Renesas Electronics America Inc.

IC OSC PROG TIMER 8MHZ 28PLCC

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

SMBJ15A

SMBJ15A

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

4608X-102-102LF

4608X-102-102LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8SIP

HMC7044LP10BE

HMC7044LP10BE

Analog Devices

IC JITTER ATTENUATOR 68LFCSP

EE-SX1109

EE-SX1109

Omron Electronics Inc-EMC Div

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD

CD143A-SR70

CD143A-SR70

Bourns

TVS DIODE 7V SOT143