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IXTK160N20

IXTK160N20

Nur als Referenz

Teilenummer IXTK160N20
PNEDA Teilenummer IXTK160N20
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.168
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IXTK160N20 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTK160N20
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTK160N20, IXTK160N20 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 565,04 KB)
PDFIXTK160N20 Datenblatt Cover
IXTK160N20 Datenblatt Seite 2 IXTK160N20 Datenblatt Seite 3 IXTK160N20 Datenblatt Seite 4 IXTK160N20 Datenblatt Seite 5

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IXTK160N20 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieMegaMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs415nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)730W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-264 (IXTK)
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA

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Hersteller

IXYS

Serie

TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

230A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

178nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IXTH90N15T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

455W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

NTMFS4826NET3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta), 66A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

870mW (Ta), 41.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

IPB320N20N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TSM60N600CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

743pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

EPM2210F256I5N

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Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

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IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP

SI4836DY-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

JS28F128J3F75A

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

ASDXRRX005NDAA5

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Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF 5"" H2O 8DIP

LH1511BAB

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SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

74VHC125TTR

74VHC125TTR

STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

AO3407A

AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

VUB72-12NOXT

VUB72-12NOXT

IXYS

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK

DS5000-32-16+

DS5000-32-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

SMBJ14A-13-F

SMBJ14A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 14V 23.2V SMB

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PA0277NL

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FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM