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IXTK17N120L

IXTK17N120L

Nur als Referenz

Teilenummer IXTK17N120L
PNEDA Teilenummer IXTK17N120L
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.644
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Voraussichtliche Lieferung Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXTK17N120L Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTK17N120L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTK17N120L, IXTK17N120L Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 153,58 KB)
PDFIXTK17N120L Datenblatt Cover
IXTK17N120L Datenblatt Seite 2 IXTK17N120L Datenblatt Seite 3 IXTK17N120L Datenblatt Seite 4 IXTK17N120L Datenblatt Seite 5

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IXTK17N120L Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155nC @ 15V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8300pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)700W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-264 (IXTK)
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA

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EPC2014

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die Outline (5-Solder Bar)

Paket / Fall

Die

IRLC3813EB

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

PSMN0R9-25YLDX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.85mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

89.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6721pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

238W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

FQP3N60C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

AON7240

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 36.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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