IXTP1R6N50D2
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Teilenummer | IXTP1R6N50D2 |
PNEDA Teilenummer | IXTP1R6N50D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.064 |
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IXTP1R6N50D2 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXTP1R6N50D2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXTP1R6N50D2 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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