Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTP74N15T

IXTP74N15T

Nur als Referenz

Teilenummer IXTP74N15T
PNEDA Teilenummer IXTP74N15T
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.906
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTP74N15T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTP74N15T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTP74N15T Datasheet
  • where to find IXTP74N15T
  • IXYS

  • IXYS IXTP74N15T
  • IXTP74N15T PDF Datasheet
  • IXTP74N15T Stock

  • IXTP74N15T Pinout
  • Datasheet IXTP74N15T
  • IXTP74N15T Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTP74N15T Price
  • IXTP74N15T Distributor

IXTP74N15T Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.74A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPP80N04S403AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 53µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

NTHD5904NT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

640mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

IRL3716STRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5090pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDP12N60NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET-II™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1676pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

240W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

FDA59N25

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 29.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

392W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

RCLAMP3654P.TCT

RCLAMP3654P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

AOD413

AOD413

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 40V 24A TO252

AK4480EF

AK4480EF

AKM Semiconductor Inc.

IC DAC/AUDIO 32BIT 216K 30VSOP

ATMEGA328P-15AZ

ATMEGA328P-15AZ

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

NC7SZ125M5X

NC7SZ125M5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5

MAX3218EAP+

MAX3218EAP+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ