IXTP90N055T
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| Teilenummer | IXTP90N055T |
| PNEDA Teilenummer | IXTP90N055T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTP90N055T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTP90N055T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTP90N055T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchT2™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 176W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2265pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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