IXTQ170N10P
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| Teilenummer | IXTQ170N10P |
| PNEDA Teilenummer | IXTQ170N10P |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.166 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTQ170N10P Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTQ170N10P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTQ170N10P Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | Polar™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 170A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 198nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 715W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller IXYS Serie PolarHV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 460W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 107W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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