IXTQ200N10T
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| Teilenummer | IXTQ200N10T |
| PNEDA Teilenummer | IXTQ200N10T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTQ200N10T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTQ200N10T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTQ200N10T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | TrenchMV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 200A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 550W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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