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IXTQ40N50L2

IXTQ40N50L2

Nur als Referenz

Teilenummer IXTQ40N50L2
PNEDA Teilenummer IXTQ40N50L2
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.426
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IXTQ40N50L2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTQ40N50L2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTQ40N50L2, IXTQ40N50L2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 191,13 KB)
PDFIXTH40N50L2 Datenblatt Cover
IXTH40N50L2 Datenblatt Seite 2 IXTH40N50L2 Datenblatt Seite 3 IXTH40N50L2 Datenblatt Seite 4 IXTH40N50L2 Datenblatt Seite 5

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IXTQ40N50L2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieLinear L2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs320nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)540W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375mW (Ta), 2.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4640pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

JANTXV2N6764T1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

IPI70R950CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

SIJA58DP-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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