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IXTY12N06TTRL

IXTY12N06TTRL

Nur als Referenz

Teilenummer IXTY12N06TTRL
PNEDA Teilenummer IXTY12N06TTRL
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.086
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IXTY12N06TTRL Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTY12N06TTRL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTY12N06TTRL, IXTY12N06TTRL Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 163,13 KB)
PDFIXTY12N06TTRL Datenblatt Cover
IXTY12N06TTRL Datenblatt Seite 2 IXTY12N06TTRL Datenblatt Seite 3 IXTY12N06TTRL Datenblatt Seite 4 IXTY12N06TTRL Datenblatt Seite 5

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IXTY12N06TTRL Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieTrenchMV™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds256pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)33W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

4500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

256pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

113W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SSM3J355R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30.1mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23F

Paket / Fall

SOT-23-3 Flat Leads

STD95NH02LT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI3457CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

74mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FQU6N25TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

S29AL016J70TFI020

S29AL016J70TFI020

Cypress Semiconductor

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

NFM21PC105B1C3D

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Murata

CAP FEEDTHRU 1UF 20% 16V 0805

ATMEGA8515-16AU

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 44TQFP

ECLAMP2410P.TCT

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Semtech

FILTER RC(PI) 45 OHM/12PF SMD

MA2SD2500L

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Panasonic Electronic Components

DIODE SCHOTTKY 15V 200MA SSMINI2

PCF8593P,112

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NXP

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-DIP

IRLML6401TRPBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

Z86E0812SSC1866

Z86E0812SSC1866

Zilog

IC MCU 8BIT 2KB OTP 18SOIC

ADUM1402BRWZ

ADUM1402BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

AT25DF321-SU

AT25DF321-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 70MHZ 8SOIC

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

SMBJ40A

SMBJ40A

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMB