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IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

Nur als Referenz

Teilenummer IXTY1R6N50P
PNEDA Teilenummer IXTY1R6N50P
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.462
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXTY1R6N50P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTY1R6N50P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTY1R6N50P, IXTY1R6N50P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 777,81 KB)
PDFIXTP1R6N50P Datenblatt Cover
IXTP1R6N50P Datenblatt Seite 2 IXTP1R6N50P Datenblatt Seite 3 IXTP1R6N50P Datenblatt Seite 4 IXTP1R6N50P Datenblatt Seite 5

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IXTY1R6N50P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolarHV™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)43W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252, (D-Pak)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

97A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

64W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

TP0606N3-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

320mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

IRFBF20

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRFZ44VZSTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

57A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

92W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB6021P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

37W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MT41J128M16HA-15E:D

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

EE-SY124

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SENSR OPTO TRANS 1MM REFL TH PCB

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TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

N25Q064A13ESE40E

N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO

KSZ9031RNXIC

KSZ9031RNXIC

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

MAX8902BATA+T

MAX8902BATA+T

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IC REG LIN POS ADJ 500MA 8TDFN

B360B-13-F

B360B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

ADG1334BRSZ

ADG1334BRSZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP

HM0068ANL

HM0068ANL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

MAX17205G+T

MAX17205G+T

Maxim Integrated

IC BATTERY MULTIFUNCTION 14TDFN

S1M-13-F

S1M-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA