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IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH50N60B3D1
PNEDA Teilenummer IXXH50N60B3D1
Beschreibung IGBT 600V 120A 600W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $113,2920
50 ---------- $107,9815
100 ---------- $102,6709
200 ---------- $97,3603
400 ---------- $92,9349
500 ---------- $88,5094
Auf Lager 135
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Voraussichtliche Lieferung Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXXH50N60B3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH50N60B3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXXH50N60B3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 36A
Leistung - max600W
Schaltenergie670µJ (on), 740µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/100ns
Testbedingung360V, 36A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

RGTH40TS65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

144W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/73ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

RJH60T04DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

208.3W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/136ns

Testbedingung

300V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

AIGW40N65F5XKSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

350µJ (on), 100µJ (off)

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Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Paket / Fall

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