IXXP50N60B3
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| Teilenummer | IXXP50N60B3 |
| PNEDA Teilenummer | IXXP50N60B3 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXXP50N60B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXP50N60B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXXP50N60B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 670µJ (on), 1.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/150ns |
| Testbedingung | 360V, 36A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max 100W Schaltenergie 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/540ns Testbedingung 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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