IXYA8N250CHV
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| Teilenummer | IXYA8N250CHV |
| PNEDA Teilenummer | IXYA8N250CHV |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYA8N250CHV Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYA8N250CHV |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYA8N250CHV Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2500V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 29A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 70A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 280W |
| Schaltenergie | 2.6mJ (on), 1.07mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 45nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 11ns/180ns |
| Testbedingung | 1250V, 8A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263HV |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 543W Schaltenergie 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket D3 [S] |
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