IXYP10N65C3
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| Teilenummer | IXYP10N65C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXYP10N65C3 |
| Beschreibung | IGBT 650V 30A 160W TO220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.688 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYP10N65C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP10N65C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYP10N65C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 54A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 160W |
| Schaltenergie | 240µJ (on), 110µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/77ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 32A Leistung - max 300W Schaltenergie 950µJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/334ns Testbedingung 480V, 32A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A Leistung - max 100W Schaltenergie 950µJ (on), 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/220ns Testbedingung 800V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max 65W Schaltenergie 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/72ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 20µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/84ns Testbedingung 400V, 8A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 75A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
