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IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYX100N65B3D1
PNEDA Teilenummer IXYX100N65B3D1
Beschreibung IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYX100N65B3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYX100N65B3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYX100N65B3D1, IXYX100N65B3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 221,64 KB)
PDFIXYX100N65B3D1 Datenblatt Cover
IXYX100N65B3D1 Datenblatt Seite 2 IXYX100N65B3D1 Datenblatt Seite 3 IXYX100N65B3D1 Datenblatt Seite 4 IXYX100N65B3D1 Datenblatt Seite 5 IXYX100N65B3D1 Datenblatt Seite 6 IXYX100N65B3D1 Datenblatt Seite 7

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IXYX100N65B3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)225A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)460A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 70A
Leistung - max830W
Schaltenergie1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge168nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/150ns
Testbedingung400V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)156ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Serie

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IGBT-Typ

-

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900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

204A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.63mJ (on), 1.34mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/110ns

Testbedingung

720V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

ISL9V5036S3ST_SB82170

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

NGB8207NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

365V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 4V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGPF45N45TTU

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

51.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/238ns

Testbedingung

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

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