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IXYX200N65B3

IXYX200N65B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYX200N65B3
PNEDA Teilenummer IXYX200N65B3
Beschreibung IGBT
Hersteller IXYS
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IXYX200N65B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYX200N65B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYX200N65B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™, GenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)410A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)1100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 100A
Leistung - max1560W
Schaltenergie5mJ (on), 4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge340nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/370ns
Testbedingung400V, 100A, 0Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)108ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

120µJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/170ns

Testbedingung

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4BC20U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

DGTD65T40S1PT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

341W

Schaltenergie

1.15mJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

219nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/245ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

145ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG7PSH73K10PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

1150W

Schaltenergie

7.7mJ (on), 4.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

360nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

63ns/267ns

Testbedingung

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 4V, 200A

Leistung - max

1W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

3.1µs/2µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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