J2A080GX0/T0BG295,
Nur als Referenz
| Teilenummer | J2A080GX0/T0BG295, |
| PNEDA Teilenummer | J2A080GX0-T0BG295 |
| Beschreibung | TRANSISTOR JFET 8PLLCC |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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J2A080GX0/T0BG295 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | J2A080GX0/T0BG295, |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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J2A080GX0/T0BG295 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 250mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 18 Ohms Leistung - max 310mW Betriebstemperatur 135°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein) 3 Ohms Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AC (TO-52) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 6.5mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket S-Mini |
