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JAN1N647-1

JAN1N647-1

Nur als Referenz

Teilenummer JAN1N647-1
PNEDA Teilenummer JAN1N647-1
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.020
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JAN1N647-1 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN1N647-1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
JAN1N647-1, JAN1N647-1 Datenblatt (Total Pages: 1, Größe: 75,11 KB)
PDFJAN1N647-1 Datenblatt Cover

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JAN1N647-1 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)400mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 400mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr50nA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
LieferantengerätepaketDO-35
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25nA @ 175V

Kapazität @ Vr, F.

6pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SFT12GHA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

182NQ030

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

180A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

510mV @ 180A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

7700pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67 HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

HALF-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

D3041N58TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

5800V

Current - Average Rectified (Io)

4090A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 4000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100mA @ 5800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

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