JAN2N6251T1
Nur als Referenz
| Teilenummer | JAN2N6251T1 |
| PNEDA Teilenummer | JAN2N6251T1 |
| Beschreibung | TRANS NPN 350V 10A TO-3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.210 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 1 - Jun 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JAN2N6251T1 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN2N6251T1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JAN2N6251T1 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/510 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 350V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.67A, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 6 @ 10A, 3V |
| Leistung - max | 6W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-254AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket I-PAK |
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