JANTX2N1486
Nur als Referenz
| Teilenummer | JANTX2N1486 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N1486 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANS NPN 55V 3A TO-8 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.721 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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JANTX2N1486 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N1486 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTX2N1486 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/180 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 40mA, 750mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 750mA, 4V |
| Leistung - max | 1.75W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-233AA, TO-8-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-8 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 3A, 5V Leistung - max 180W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-5 Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/502 Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 6A, 3V Leistung - max 150W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3 Lieferantengerätepaket TO-3 (TO-204AA) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V Leistung - max 885mW Frequenz - Übergang 220MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang 170MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
