JANTXV1N5418US
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| Teilenummer | JANTXV1N5418US |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV1N5418US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTXV1N5418US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV1N5418US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTXV1N5418US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | D-5B |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.26V @ 38A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 12mA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 25A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 1220pF @ 1V, 100KHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 430V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 430V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FN Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
