JANTXV1N6624US
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| Teilenummer | JANTXV1N6624US |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV1N6624US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 900V 1A D5A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 5 - Jun 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTXV1N6624US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV1N6624US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTXV1N6624US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 900V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, A |
| Lieferantengerätepaket | D-5A |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123H Lieferantengerätepaket SOD-123H Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 70A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 220A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 15mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5nA @ 75V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-76, SOD-323 Lieferantengerätepaket SOD-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller STMicroelectronics Serie ECOPACK®2 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 890mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 210µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Narrow Leads Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
