JANTXV2N2880
Nur als Referenz
| Teilenummer | JANTXV2N2880 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N2880 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 5A TO59 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 238 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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JANTXV2N2880 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N2880 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTXV2N2880 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/315 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | TO-59 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V Leistung - max 3W Frequenz - Übergang 165MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-UDFN Lieferantengerätepaket DFN2020B-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 2V Leistung - max 5.84W Frequenz - Übergang 75MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie Military, MIL-PRF-19500/545 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-5 |
