JANTXV2N4957UB
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| Teilenummer | JANTXV2N4957UB |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N4957UB |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 30V 30MA UB |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.544 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV2N4957UB Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N4957UB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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JANTXV2N4957UB Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gewinn | 25dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz Gewinn 10dB ~ 13.5dB Leistung - max 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (36 micro-X) Lieferantengerätepaket 36 micro-X |
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