JANTXV2N5416S
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| Teilenummer | JANTXV2N5416S |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N5416S |
| Beschreibung | TRANS PNP 300V 1A TO-39 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTXV2N5416S Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N5416S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTXV2N5416S Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 750mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 (TO-205AD) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
