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K814P

K814P

Nur als Referenz

Teilenummer K814P
PNEDA Teilenummer K814P
Beschreibung OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 24.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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K814P Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerK814P
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
K814P, K814P Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 179,38 KB)
PDFK824P Datenblatt Cover
K824P Datenblatt Seite 2 K824P Datenblatt Seite 3 K824P Datenblatt Seite 4 K824P Datenblatt Seite 5 K824P Datenblatt Seite 6 K824P Datenblatt Seite 7 K824P Datenblatt Seite 8

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K814P Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)20% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)300% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)6µs, 5µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)3µs, 4.7µs
EingabetypAC, DC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)70V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.25V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)300mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket4-DIP

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Renesas Electronics America

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.17V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

PS2861B-1Y-A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SOP

4N27(SHORT,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

SFH608-3

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

8µs, 7.5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

55V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

EL1117(TB)

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

4µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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