KSA733GTA
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| Teilenummer | KSA733GTA |
| PNEDA Teilenummer | KSA733GTA |
| Beschreibung | TRANS PNP 50V 0.15A TO-92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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KSA733GTA Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | KSA733GTA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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KSA733GTA Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 250mW |
| Frequenz - Übergang | 180MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 200mA, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket MiniP3-F1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 300mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V Leistung - max 1.58W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 70MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
