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LH28F016SCT-L95

LH28F016SCT-L95

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F016SCT-L95
PNEDA Teilenummer LH28F016SCT-L95
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 40TSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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Auf Lager 7.452
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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LH28F016SCT-L95 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F016SCT-L95
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F016SCT-L95, LH28F016SCT-L95 Datenblatt (Total Pages: 38, Größe: 267,87 KB)
PDFLH28F016SCT-L95 Datenblatt Cover
LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 2 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 3 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 4 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 5 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 6 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 7 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 8 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 9 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 10 LH28F016SCT-L95 Datenblatt Seite 11

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LH28F016SCT-L95 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite95ns
Zugriffszeit95ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket40-TSOP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.88ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

GD25LQ16CNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

7ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

AS4C512M8D3-12BAN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-FBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (9x10.5)

AT27C010-12TI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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