LM27222SDX
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| Teilenummer | LM27222SDX |
| PNEDA Teilenummer | LM27222SDX |
| Beschreibung | IC MOSFET DVR SYNC 4.5A HS 8WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.510 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LM27222SDX Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LM27222SDX |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LM27222SDX Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4V ~ 6.85V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 3A, 4.5A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 33V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 17ns, 12ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WSON (4x4) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.7V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 85ns, 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.75V ~ 32V Logikspannung - VIL, VIH 2V, 4.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 150ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
