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LM5110-3SD

LM5110-3SD

Nur als Referenz

Teilenummer LM5110-3SD
PNEDA Teilenummer LM5110-3SD
Beschreibung IC DVR DUAL 5A NEG VOUT 10WSON
Hersteller Texas Instruments
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LM5110-3SD Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLM5110-3SD
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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LM5110-3SD Technische Daten

Hersteller
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung3.5V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)3A, 5A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)14ns, 12ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-WSON (4x4)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 1.8V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 800mA

Eingabetyp

TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

19ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2x2)

ISL6609IBZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MCP14A0601T-E/MS

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

L6386ADTR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

17V (Max)

Logikspannung - VIL, VIH

1.5V, 3.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

400mA, 650mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SO

IR21844STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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