LM5113QDPRRQ1
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| Teilenummer | LM5113QDPRRQ1 |
| PNEDA Teilenummer | LM5113QDPRRQ1 |
| Beschreibung | IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LM5113QDPRRQ1 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LM5113QDPRRQ1 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LM5113QDPRRQ1 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.2A, 5A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 100V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7ns, 3.5ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-WSON (4x4) |
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Hersteller Maxim Integrated Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.1V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 25ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (3x3) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 330ns, 200ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.9A, 2.3A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
