LM5113QDPRRQ1
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| Teilenummer | LM5113QDPRRQ1 |
| PNEDA Teilenummer | LM5113QDPRRQ1 |
| Beschreibung | IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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LM5113QDPRRQ1 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LM5113QDPRRQ1 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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LM5113QDPRRQ1 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.2A, 5A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 100V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7ns, 3.5ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-WSON (4x4) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 700V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 150ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
